以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代

日期:2018-09-19编辑作者:移动通信

  原标题:第三代半导体器件制备及评价技术取得突破 以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。通过项目的实施,“十二五”期间,我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封装以及可见光通讯等领域取得突破,有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。近日,项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,科技部高新司在北京组织召开项目验收会。开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求。

  并实现智能家居演示系统的试制;更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,自主发展出相关材料与器件的关键技术,制备出高性能SiC基GaN器件。863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”项目。据科技部网站消息,开展第三代半导体封装和系统可靠性研究!形成相关标准或技术规范!

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